近日，江苏又有3个SiC项目公布新进展：
● 斯科半导体：碳化硅芯片模组项目正处于试生产阶段，达产后年产能240万套。
● 天科合达：碳化硅晶片二期扩产项目主体工程已经完成，预计8月启用。
● 芯华睿：Si/SiC车规级功率半导体项目试生产，其中SiC模组正在上车验证中。
同时，“行家说三代半”不完全统计，2023年至今，江苏累计新引进7个SiC相关项目，逐渐打造全产业链条。
斯科、天科合达、芯华睿SiC相关项目加速建设
近日，江苏苏州、徐州及盐城的3个碳化硅项目公布新进展，合计投资金额超23亿元。
● 斯科半导体：SiC模组项目试生产
3月18日，据“苏州日报”消息，斯科半导体车规级碳化硅芯片模组项目近日迎来了最新进展，进入试生产阶段。
据介绍，斯科车规级碳化硅芯片模组项目当前正在购置设备中，计划总投资10亿元，2024年度计划投资3.5亿元，建筑面积约1.1万平方米，投入生产设备94台。项目建成后，将形成年产240万套碳化硅半桥模块的生产能力。
斯科半导体由理想汽车和三安共同出资设立，主要从事SiC芯片和模块的研发。2022年5月，斯科SiC项目签约落户苏州高新区，同年6月中旬启动厂房建设，预计今年逐步形成240万只半桥年产能。
● 天科合达：SiC二期项目主体工程已完成
3月17日，据“金龙湖发布”官微消息，天科合达碳化硅晶片二期扩产项目主体工程已经完成，目前正在进行核体内外部装配施工。
根据“行家说三代半”此前报道，该项目总投资8.3亿元，计划5月份进行生产联调联试、8月份正式投产，达产后年产碳化硅衬底16万片。
● 芯华睿：SiC车规级功率半导体步入试生产阶段
3月13日，据江苏盐城媒体消息，芯华睿1200V碳化硅及750V IGBT模组已成功进入采埃孚、蔚来汽车、上汽乘用车可靠性验证阶段；值得一提的是，其车规级功率半导体项目也步入了试生产阶段。
“行家说三代半”了解到，该项目在东台市高新区落地建设，主要聚焦Si、SiC车规级功率半导体研发生产。项目总投资为5亿元，建筑面积约为1.56万平方米，购置主要设备近百台/套，外购 8 寸/12寸硅基、碳化硅大功率芯片等原材料，其中预计SiC 芯片年用量为3200万颗。
项目建成达产后，可年产汽车、光伏、工控功率模组产品200万只。其中，塑封（SiC）模组为110万只，H-BOOST（SiC）模组为30万只，H-BOOST（Si）模组为30万只，E-Package（Si）模组为30万只。
盘点江苏新引进的SiC项目 集芯先进、扬杰科技等
据“行家说三代半”不完全统计，2023年至今，已有多个SiC项目签约落地江苏省，包含材料、衬底、晶圆、设备等产业链环节，合计投资金额超55亿。
● 2024年1月，据“丹阳延陵镇”消息，江苏省丹阳市延陵镇或将引进1个碳化硅衬底项目，项目建设方为浙江博蓝特半导体。 据悉，博蓝特计划在延陵镇投资10亿元建设年产25万片的6-8英寸碳化硅衬底，该项目建成后预计可实现年销售收入15亿元。
● 2024年1月，连城数控发布公告称，他们及下属全资子公司连科半导体拟与无锡市锡山区锡北镇人民政府签署《锡山区工业项目投资协议书》，将投资建设“第三代半导体设备研发制造项目”——该项目规划用地 100 亩，分两期实施，每期 50 亩，连科半导体计划投资不超过人民币 10.50 亿元，将在无锡市投资建设半导体大硅片长晶和加工设备、SiC长晶和加工设备的研发和生产制造基地。
● 2023年11月，集芯先进一期碳化硅衬底项目搬入首批生产设备。该项目于同年4月底签约落户徐州高新区，一期项目将打造成为年产15万片碳化硅衬底片制造基地。
● 2023年9月，江苏南通市北高新区举行了菲莱半导体测试设备制造项目签约仪式。该项目总投资2亿元，将从事碳化硅晶圆老化和测试设备等产品的研发、生产和销售，该项目达产后应税销售不低于4亿元。
● 2023年4月，扬杰科技宣布与扬州市邗江区人民政府签署了《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，计划在扬州市投资新建 6英寸碳化硅晶圆生产线项目，将新建厂房27000平方米。项目总投资约10亿元，将分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成碳化硅 6 英寸晶圆产能 5000 片/月。
● 2023年4月，江苏瀚思瑞半导体科技有限公司与江苏省南通市海门开发区签订投资协议，计划投资21.5亿元建设第三代功率半导体陶瓷覆铜板项目，瞄准第三代功率半导体在新能源汽车、光伏、储能等工业领域的前沿应用，将分三期进行建设。
● 2023年3月，无锡景溪工业园新增一个碳化硅抛光片产线项目。该项目总投资5000万元，一期建设厂房2000平方米，建设包括自主知识产权的氧化铝抛光液生产在内的碳化硅抛光片产线；项目正式投产后预计实现年产研磨液600吨，碳化硅衬底材料6000片。