近期，SiC领域新增了5起融资案：
● 百识电子：完成A+轮融资，加速第三代半导体外延布局。
● Gaianixx：获得1700万元融资，聚焦SiC外延等技术。
● 思锐智能：完成数亿元B轮融资，聚焦SiC前道工艺设备的研发、生产和销售。
● 安森德：完成数千万元战略融资，将加速SiC功率器件等开发布局。
● 工源三仟：获数千万Pre-A轮融资，用于半导体检测设备等建设。
百识电子：完成A+轮融资
3月11日，据“百识电子”官微消息，他们于近日完成了A+轮融资，将加速耐高压、大尺寸第三代半导体外延布局。
据介绍，百识电子目前可提供6英寸及8英寸的SiC/GaN外延片，其3300V碳化硅外延片已实现高良率高质量生产，产品厚度均匀性1.18%，浓度均匀性1.32%，并稳定出货全球轨交头部客户；正在攻克超高耐压（6500V及以上）外延技术，缺陷控制已达国际先进水平。
据“行家说三代半”此前报道，2022年1月，百识电子的第三代半导体外延项目签约落户江苏南京，项目总投资10亿元，分二期建设，一期项目产能15万片，主要生产碳化硅及氮化镓相关外延片。
百识电子董事长李屏表示，目前南京厂量产顺利，二期产线也在积极落地中。
Gaianixx：获得1700万元融资
3月6日，日本东京大学初创企业Gaianixx官网宣布，公司在B轮第二轮融资中筹集了3.5亿日元（折合人民币1700万元），将用于SiC材料技术等进一步研发及销售。
“行家说三代半”了解到，Gaianixx拥有一项独特的外延生长技术——使用“中间膜”技术来防止 SiC 衬底缺陷转移到外延生长环节，还可以用在硅衬底上生长SiC外延。
根据官网，Gaianix成立于2021年11月，计划引进年产7000片中间膜的外延生产设备，2024 年左右开始量产。他们计划在2025年前后进入SiC等功率半导体领域。Gaianixx 利用独特的技术解决了“马氏体外延”的传统难题，可以实现高品质的多层单晶。
值得一提的是，Gaianixx此前已完成了15亿日元（折合人民币约7200万元）的融资，加上此次追加的3.5亿日元投资，融资总额达到18.5亿日元（折合人民币8900万元）。
思锐智能：完成数亿元B轮融资
2月29日，青岛四方思锐智能技术有限公司宣布完成了数亿元B轮融资，将进一步布局原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备等。
本轮融资由上汽集团战略直投、尚颀资本和鼎晖投资联合领投；招商局创投、上海金浦、新鼎资本等多家投资机构跟投。
思锐智能聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售，提供具有自主可控的核心关键技术的系统装备产品和技术服务方案。目前，思锐智能已形成“双主业”布局，公司产品包括原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备。广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等诸多高精尖领域。
安森德：完成数千万战略融资
2月1日，安森德官微宣布，他们已获得了数千万人民币的战略投资，此次融资由时代伯乐领投。
据介绍，融资后安森德将进一步加速SiC功率器件及模拟芯片、SIP系统级芯片等产品的深度开发、扩大产品种类、加大人才和研发投入。
安森德成立于2018年，是一家模拟芯片和系统级芯片设计公司，旗下产品覆盖SiC/GaN功率器件、模拟芯片及SiP系统级芯片等。
工源三仟：数千万Pre-A轮融资
工源三仟2月5日宣布，他们已于1月完成了数千万人民币Pre-A轮融资，本轮融资由原子创投、锡创投共同领投，华工科技跟投。资金将主要用于检测设备批量交付、增强技术储备，并扩充研发和销售团队。
工源三仟成立于2021年，瞄准工业市场的产品内部缺陷检测需求，通过将人工智能与X射线探伤技术结合，为客户提供高效率、高精度的X-Ray在线自动检测设备。
创始人左嘉铭介绍到，X-Ray是一个较为通用的技术，工源三仟今年将加速布局碳化硅等第三代半导体检测新赛道，目前公司正在进一步探索X-Ray技术的更多应用方向，例如碳化硅模块、3D打印、MiniLED等。
2022年底，工源三仟于无锡成立全资子公司，落地建设生产基地，正式提供产线级效率、自动识别、软硬件一体的定制化检测解决方案。目前，公司已形成成熟2D(X-Ray)在线设备产品体系，覆盖卷绕电池、叠片电池、电路板及功率半导体等应用。