近日，国内又新增5个碳化硅项目进展：
● 芯华睿：总投资5亿元，规划年产SiC模组200万只；
● 复旦大学：投资0.74亿元用于SiC MOSFET项目，预计年产能为0.6万片；
● 长晶科技：投资9.5亿元，或将年产SiC功率器件200亿颗；
● 新华锦：投资20亿元用于SiC碳材料项目，规划年产能为6000吨；
● ASE半导体：新建项目投资1.42亿元，将生产SiC清洗机等产品。
芯华睿：总投资5亿，年产模组200万只
2月19日，据东台日报消息，江苏芯华睿微电子已全面步入试生产阶段。此前，根据东台市政府办文件透露，芯华睿的《新能源及车规功率半导体项目》在东台市高新区落地建设，将聚焦Si、SiC车规级功率半导体研发生产。
据悉，该项目属于新建项目，总投资为5亿元，租用现有厂房进行建设，建筑面积约为1.56万平方米，购置全自动银烧结及贴装设备、全自动印刷机、贴片机、真空回流炉等主要设备近百台/套，外购 8 寸/12 寸硅基、碳化硅大功率芯片等原材料，其中预计IGBT 芯片年用量为1080 万颗，SiC 芯片年用量为3200万颗。
项目建成达产后，可年产汽车、光伏、工控功率模组产品200 万只。其中，塑封（SiC）模组为110万只，H-BOOST（SiC）模组为30万只，H-BOOST（Si）模组为30万只，E-Package（Si）模组为30万只。
企查查显示，江苏芯华睿微电子有限公司成立于2023年7月，注册资本为1.85亿，控股方为上海芯华睿半导体科技有限公司。
目前，江苏芯华睿致力于新能源汽车主驱逆变器的核心功率半导体芯片设计、器件与模块产品的研发生产，其建立的车规级模块工厂，可实现车规级SiC及IGBT功率模块的批量生产，并拥有完整的汽车半导体芯片产业整合能力，涵盖设计、封装、测试的完整生态链。
复旦大学宁波研究院：投资0.74亿，年产SiC MOS 0.6万片
2月21日，宁波前湾新区生态环境局公布了复旦大学宁波研究院的《宽禁带半导体材料与功率器件研究所建设项目环境影响报告表》。
文件透露，该项目属于新建项目，具体位于宁波市杭州湾新区，总投资为0.74亿，用地面积为0.69万平方米，施工周期为12个月，目前暂未开工。
项目规划租用现有厂房用作研发生产车间，并新建动力能源辅房及配套设施，将设置清腐、光刻、刻蚀、注入、薄膜、测试等十几个车间，购置相关设备近百台，从而形成6英寸规格、产能6000片/年的SiC MOSFET研发能力。
根据“行家说三代半”此前报道，2023年2月，“复旦大学宁波研究院重大产业化项目-清纯半导体研发基地启用仪式”成功举办，该项目总投资约4.6亿元，所建设的四大实验平台具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。
长晶科技：总投资9.5亿，年产器件200亿颗
近日，据“浦口发布”消息，长晶科技的新型元器件项目在浦口经济开发区建设，或将生产SiC、IGBT功率器件。
文章进一步透露，该项目由长晶科技旗下浦联半导体投资建设，总投资9.5亿元，在2024年计划投资3亿元，总建筑面积约12.9万平方米，将建设生产厂房、动力中心、库房等，主要生产表面贴装的半导体分立器件和功率器件。项目建成投产后，预计年产器件200亿颗，年产值12亿元，年税收5000万元，可带动就业1200人。
此前，浦联半导体总经理郭智接受记者采访时曾表示，他们目前掌握了SGT MOSFET、CSP MOSFET、超结MOSFET、IGBT单管、SiC肖特基二极管等产品关键技术，开发的部分新产品在技术水平上处于国内前列，具有较强的市场竞争力。
企查查显示，江苏长晶浦联功率半导体有限公司成立于2020年11月，注册资本为10亿，由长晶科技控股，经营范围包括半导体分立器件制造、集成电路芯片及产品制造、电子元器件制造等。
根据“行家说三代半”此前报道，2023年7月，长晶科技在IPO审核问询函中透露，拟投资1.9亿元用于“第三代半导体及IGBT技术研发项目”，拟投资5.2亿元用于“年产80亿颗新型元器件项目”，实施主体为长晶浦联。
新华锦：总投资20亿，年产石墨6000吨
2月21日，山东省平度市成功举行了2024年的重点产业项目春季集中签约活动，包括新华锦第三代半导体碳材料产业园项目在内的48个项目顺利签约。
据悉，新华锦第三代半导体碳材料产业园项目位于平度市经济开发区，由新华锦集团投资兴建，总投资额为20亿元，主要规划包括建设年产5000吨半导体用细颗粒等静压石墨和1000吨半导体用多孔石墨的生产基地。
官网资料显示，新华锦集团成立于2002年6月，并于2007年完成上市，2022年营收为18.65亿元，同比增长18.47%。自2010年开始，该集团重点投资发展了石墨新材料等战略性新兴产业，先后收购多家石墨矿，其产品主要应用于第三代半导体等领域。
值得关注的是，2023年11月，新华锦集团旗下华锦新材宣布正式点火投产。该项目主要生产第三代半导体芯片用特种石墨材料，主要应用于SiC衬底热场领域等需求，有望填补市场上的自主产品空白，解决该领域内的关键核心难题。
韩国ASE半导体：投资1.42亿，将生产SiC清洗机
2月20日，“水韵巴城”发布消息称，昆山市巴城镇成功签约2个韩资半导体项目，总体投资达5000万美元（约合人民币3.56亿），其中包含1个碳化硅项目。
据悉，该项目由韩国ASE半导体投资2000万美元（约合人民币1.42亿元）进行建设，致力于半导体清洗机、电力半导体碳化硅清洗机、刻蚀机、液晶清洗机的研发、生产和销售。项目落地后，将逐步实现半导体关键零部件国产化、本地化制造，带动相关配套产业链企业实现当地供应，达产后预计实现年产值超5亿元。
文章进一步透露，ASE半导体是韩国首家成功完成了对20纳米级半导体用硅晶圆清洗设备的国产化公司，此次签约，是韩国ASE株式会社在中国投资的全新项目。