1月24-26日，湖南三安携8英寸碳化硅（SiC）晶碇、衬底、外延，车规级SiC二极管、MOSFET产品，以及多场景应用解决方案亮相第38届日本国际电子展NEPCON JAPAN 2024。
据悉，湖南三安的SiC系列产品主要面向工业级和车规级应用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品，已广泛应用于光伏逆变器、充电桩、电源以及新能源汽车等领域并形成批量出货，累计出货量超2亿颗；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16mΩ车规级产品，目前正在数家战略客户进行模块验证；湖南三安还推出了针对光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重点客户批量导入。
SiC SBD累计出货量突破2亿颗，意味着湖南三安SiC SBD系列产品受到较多客户青睐，对其拓展国内、国际市场是一大利好消息，有望为该公司SiC器件业务带来更多签单机会。
据了解，湖南三安半导体基地项目致力于建设具有自主知识产权的以SiC等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，项目投产后可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和5G通讯等。
2022年7月，湖南三安半导体基地项目二期开建，总投资为80亿元，全面达产后将实现50万片6英寸SiC晶圆的年产能。
湖南三安半导体基地二期工程目前已进入厂房装修后期阶段，2024年一季度即将贯通。在紧盯SiC产能的同时，湖南三安也瞄准了海外市场。1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和氮化镓（GaN）产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。
Luminus在美洲地区拥有销售团队，包括区域制造商代表、经销商等，并且在SiC、GaN功率半导体市场已有布局。与Luminus合作，湖南三安SiC、GaN产品能够更加顺利地打入美洲市场。值得一提的是，2023年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展会上首发8英寸SiC衬底，正式跻身国内8英寸SiC衬底厂商行列。
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