半导体封测厂微矽电子1月22日举行上市前业绩发表会，董事长张秉堂表示，公司布局多年的氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半导体测试、薄化及切割技术，预期今年将持续受惠于车用产业需求，推动公司营运向上成长，目前微矽电子在中国台湾竹南新扩建的厂房有望在第2季投入量产。
微矽电子目前主要提供半导体测试、晶圆薄化与半导体封装的整合性服务，并锁定电源效率相关的功率元件与电源管理IC加工。此外，微矽电子表示，近年亦积极投入GaN与SiC的测试、薄化与切割技术，相关技术处于领先地位。
其中，微矽电子在竹南厂区扩建的新厂房，预计今年第1季将可望完工，第2季完成无尘室建置，同季就可投入量产，将全力抢占GaN、SiC等相关商机。除了微矽电子，一些在化合物半导体布局的台厂近期也有新动作。
近期台系企业齐发力
在SiC方面，1月11日，半导体材料厂商环球晶圆宣布，其已与一线大厂签长期供料合约，并预估今年SiC晶圆产能在原先6000片/月的基础上实现翻倍。此外，环球晶圆还表示，公司今年在SiC衬底的重点工作是完成晶圆从6吋到8吋的转化，已陆续送样给客户。据介绍，环球晶圆在GaN领域也有布局，但营收仅为SiC的十分之一。
再看GaN领域，GaN厂商鸿镓科技在本月初表示，其提供的65W GaN快充，通过了日本PSE认证，公司一举成为中国台湾首家打入要求严格的日商供应链的公司。而同为GaN厂商的伟诠电子作为Transphorm的长期合作伙伴，随着Transphorm被日本IDM大厂瑞萨电子收购，也可望获得打入瑞萨供应链的机会。除了SiC和GaN，中国台湾地区在第四代半导体材料氧化镓（Ga2O3）领域亦有新进展。
1月18日，台湾中山大学晶体研究中心与台湾应用晶体公司及其所属集团签订“大尺寸Ga2O3晶体生长”项目合作协议，企业出资5000万新台币（折合人民币约1150万元）投入Ga2O3单晶研究，目标三年内成功生产6吋Ga2O3单晶。据悉，中国台湾中山大学晶体研究中心去年已成功生长出直径6吋的SiC晶体，技术转移中国台湾应用晶体公司及其所属集团，让其有信心与中国台湾中山大学继续合作; 此外，研究中心过去也曾生长出直径40mm的Ga2O3单晶，未来三年将努力实现技术突破。
小结
近年来，受全球“双碳政策”以及汽车电动化趋势的影响，以SiC和GaN还有Ga2O3为代表的化合物半导体开始频繁出圈。中国台湾是世界半导体领域极具影响力的地区之一，台系厂商也感受到了风向变动，并相继开展动作。但在化合物半导体领域，不乏重注押宝的玩家，台系厂商在这一领域能否拥有更多的话语权，仍需时间来佐证。
集邦化合物半导体Rick