Description
博士出版物中研究的电流注入技术优化了电源的开关瞬态二极管,半导体闸流管和绝缘栅双极晶体管(IGBTs)而不需要改变这些器件的结构。为了实现当前的注射技术，目前的开发了注入电路，结果表明在其开关瞬态期间注入额外电流可以减少给定功率二极管的反向恢复电荷半导体闸流的实际实验结果二极管和半导体闸流管表明所需注入电流的幅度与峰值反向恢复电流成比例，并证明在注入额外电流期间，这些器件经历载流子复合的瞬间增加。这有助于防止器件传导大的负电流，从而减少其反向恢复电荷和反向恢复时间。从以下实验中获得的结果绝缘栅双极晶体管显示出当反向电流在其关断瞬态期间注入到器件中时，电流下降到零的时间显著减少。来自数值模拟的进一步模拟结果显示，注入的反向电流暂时增加复合并因此减少存储在器件内的提取的过量载流子。
为了防止电流注入电路和主测试电路之间的电路换向和接合被测设备(DUT)被连接到，非侵入式电路被开发来磁耦合两个电路。
总之，电流注入技术使得在高频应用中使用低正向压降的器件成为可能。这也意味着更便宜的器件成本，因为在制造阶段需要更少的处理步骤，减少了对载流子寿命控制技术的需求。这消除了电流注入电路中使用的半导体器件具有高击穿电压额定值的需要，并且还提供了电隔离。这种技术在感性负载斩波电路中的典型应用表明，尾电流显著降低绝缘栅双极晶体管，以及反向恢复时间和电荷续流二极管二手的。
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