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ABB 5SHY4045L0006 可控硅模块

$1,266.00

在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景

己用于电力系统电网装置(100MVA)和的中功率工业驱动装置(5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到09年为止),由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路,因而所需的功率元件数目更少,

运行的可靠性大大增高。IGCT集IGBT(绝缘门极双极性晶体管)的高速开关特性和GTO(门极关断品闸管)的高阻断电压和低导通损耗特性于一体,一般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。

 

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IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。

1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃。

IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连

接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点,

在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景

己用于电力系统电网装置(100MVA)和的中功率工业驱动装置(5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到09年为止),由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路,因而所需的功率元件数目更少,

运行的可靠性大大增高。IGCT集IGBT(绝缘门极双极性晶体管)的高速开关特性和GTO(门极关断品闸管)的高阻断电压和低导通损耗特性于一体,一般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。

有缘整流单元的相模块里,每相模块由IGCT和二极管、钳位电容组成,由独立的门极供电单元

GUSP为其提供能源。

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