总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目已于2021年6月投产，将打造国内首条、全球第三条碳化硅（SiC）垂直整合产业链，可月产3万片6英寸SiC衬底。
据悉，湖南三安半导体基地项目致力于建设具有自主知识产权的以SiC等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，项目投产后可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和5G通讯等。
2022年7月，湖南三安半导体基地项目二期开建，总投资为80亿元，全面达产后将实现50万片6英寸SiC衬底的年产能。近日，二期工程也迎来了新进展。
1月23日，三安光电在互动平台表示，公司全资子公司湖南三安SiC产能正逐步释放，湖南三安半导体基地二期工程目前已进入厂房装修后期阶段，2024年一季度即将贯通。
湖南三安正就已签署的长期采购协议着力推进产品交付，并持续跟进数家新能源汽车客户的合作意向。
公司SiC衬底质量方面能够满足客户要求，并按期交付给客户使用。
在新能源汽车领域，SiC器件需求日益增长，三安光电SiC器件也正在加速上车。据了解，三安光电SiC MOSFET代工业务已与新能源汽车龙头厂商及配套企业展开合作，与某知名车企签署芯片战略采购意向协议总金额达38亿元，另一重要客户订单金额19亿元。该公司2022年年报显示，已签署的SiC MOSFET长期采购协议总金额超70亿元。
产品方面，三安光电车规级1200V 16mΩ MOSFET芯片已在战略客户处进行模块验证，预计于2024年正式上车量产。合作方面，全球半导体巨头意法半导体和三安光电于2023年6月共同宣布，双方将在重庆建立一个新的8英寸SiC器件合资制造厂。
按照计划，合资厂将于2025年第四季度投产，预计在2028年全面建成。该合资厂全部建设总额预计约32亿美元（约合229.6亿人民币）。
与此同时，三安光电首席执行官Simon Lin表示，将利用自研SiC衬底工艺，单独新建造和运营一个8英寸SiC衬底制造厂，以满足上述合资厂的衬底需求。
有消息显示，湖南三安半导体基地项目二期会在8英寸工艺方面进行研发投入，并在上述三安光电新建的8英寸SiC衬底厂规模使用。随着湖南三安半导体基地项目二期建成达产，三安光电在SiC技术和产能方面有望再上一个台阶。
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